臺(tái)式材料級(jí)高阻計(jì)超高阻絕緣性能測(cè)試儀

臺(tái)式材料級(jí)高阻計(jì)超高阻絕緣性能測(cè)試儀

日本 Musashi 武藏 D1-11N系列 405絕緣電阻測(cè)試儀 → 再次精煉，一頁看懂定位臺(tái)式「Tera-Ohmmeter」＝ 材料級(jí)高阻計(jì)，測(cè)絕緣電阻 / 漏電流 / 體電阻 / 表面電阻，面向電池隔膜、OLED、PCB、薄膜、電容器等超高阻樣品。硬指標(biāo)（405型）電壓：1 V – 1 000 V（1 V 步）電阻：1 kΩ – 10 PΩ（101? Ω）電流：0.1 fA – 1 mA精度：≤ ±1 %（≤10 TΩ）采樣：最高 1 kHz接口：USB / RS-232 / LAN（選）核心功能① fA 級(jí)漏電流（0.1 fA 分辨率）② 自動(dòng)極性反轉(zhuǎn) PIV，消除極化誤差③ 斜坡掃描 0.1-100 V/s，捕捉擊穿 V④ 體/面電阻率自動(dòng)切換（加環(huán)形電極箱）⑤ 同步溫濕度記錄，一鍵生成 IEC/ASTM 報(bào)告典型應(yīng)用 & 判定例鋰電池隔膜：1 000 V 下 ρv > 1 TΩ·cm薄膜電容：500 V 漏電流 < 1 nAOLED 封裝：100 V 漏電流 < 1 pAPCB 基材：表面電阻 > 1012 Ω/□規(guī)格一覽尺寸 W260 × D380 × H140 mm，6.2 kg7 英寸觸控，中/英/日菜單附 10 GΩ / 1 TΩ 標(biāo)準(zhǔn)電阻，30 s 自校12 個(gè)月 JCSS 溯源，符合 JIS C 1302 / IEC 60093 / ASTM D257一句話D1-11N-405 = 材料實(shí)驗(yàn)室的“臺(tái)式 tera-ohmmeter"：1 V-1 kV、10 PΩ、0.1 fA，fA 級(jí)漏電流、斜坡?lián)舸Ⅲw/面電阻率一鍵完成，專為超高阻絕緣性能測(cè)試設(shè)計(jì)。日本 Musashi 武藏 D1-11N系列 405絕緣電阻測(cè)試儀 → 再次精煉，一頁看懂定位臺(tái)式「Tera-Ohmmeter」＝ 材料級(jí)高阻計(jì)，測(cè)絕緣電阻 / 漏電流 / 體電阻 / 表面電阻，面向電池隔膜、OLED、PCB、薄膜、電容器等超高阻樣品。硬指標(biāo)（405型）電壓：1 V – 1 000 V（1 V 步）電阻：1 kΩ – 10 PΩ（101? Ω）電流：0.1 fA – 1 mA精度：≤ ±1 %（≤10 TΩ）采樣：最高 1 kHz接口：USB / RS-232 / LAN（選）核心功能① fA 級(jí)漏電流（0.1 fA 分辨率）② 自動(dòng)極性反轉(zhuǎn) PIV，消除極化誤差③ 斜坡掃描 0.1-100 V/s，捕捉擊穿 V④ 體/面電阻率自動(dòng)切換（加環(huán)形電極箱）⑤ 同步溫濕度記錄，一鍵生成 IEC/ASTM 報(bào)告典型應(yīng)用 & 判定例鋰電池隔膜：1 000 V 下 ρv > 1 TΩ·cm薄膜電容：500 V 漏電流 < 1 nAOLED 封裝：100 V 漏電流 < 1 pAPCB 基材：表面電阻 > 1012 Ω/□規(guī)格一覽尺寸 W260 × D380 × H140 mm，6.2 kg7 英寸觸控，中/英/日菜單附 10 GΩ / 1 TΩ 標(biāo)準(zhǔn)電阻，30 s 自校12 個(gè)月 JCSS 溯源，符合 JIS C 1302 / IEC 60093 / ASTM D257一句話D1-11N-405 = 材料實(shí)驗(yàn)室的“臺(tái)式 tera-ohmmeter"：1 V-1 kV、10 PΩ、0.1 fA，fA 級(jí)漏電流、斜坡?lián)舸?、體/面電阻率一鍵完成，專為超高阻絕緣性能測(cè)試設(shè)計(jì)。