晶片厚度測(cè)試儀的測(cè)量技術(shù)解析

以電容法厚度測(cè)試儀器為例,分析了厚度標(biāo)準(zhǔn)樣片、重復(fù)性、環(huán)境溫度變化以及厚度公差對(duì)測(cè)量能力指數(shù)的影響。結(jié)果表明,盡可能地降低測(cè)試環(huán)境的溫度變化、選用高質(zhì)量的厚度標(biāo)準(zhǔn)樣片能夠使得厚度測(cè)試儀器具有較高的測(cè)量能力指數(shù)。

非接觸式半導(dǎo)體晶片厚度測(cè)量裝置及方法

種非接觸式晶片厚度測(cè)量裝置及方法,其特征是：超凈的晶片裝置于一個(gè)相對(duì)封閉的凈化空間內(nèi),使用傅里葉變換紅外光譜儀利用非接觸方法測(cè)量出該晶片兩邊至腔體內(nèi)壁之間空氣層的厚度,使用千分尺測(cè)量得到腔體兩個(gè)內(nèi)壁間距,這樣就可以得到晶片的精確厚度。該裝置和方法的優(yōu)點(diǎn)是：整個(gè)過程中清洗干凈的晶片一直放置于相對(duì)封閉的超凈空間內(nèi),測(cè)試過程非接觸,從而不會(huì)導(dǎo)致晶片被污染和氧化,晶片表面也不會(huì)因?yàn)榻佑|硬物而導(dǎo)致劃傷,保證晶片的干凈與表面無瑕疵,避免了液相外延生長過程中晶片厚度不精確所引起的粘液和劃傷,提高了外延片的成品率。

半導(dǎo)體用圓晶非接觸式測(cè)厚儀OZUMA22 

<使用>

半導(dǎo)體用晶圓（各種材料） 硅Si.GaAs 砷化鎵等，玻璃、金屬、化合物等的高精度非接觸式測(cè)厚（非接觸式測(cè)厚）

<特點(diǎn)>

1. 1. 通過空氣背壓法可以進(jìn)行非接觸式測(cè)厚（非接觸式測(cè)厚），不會(huì)造成劃痕和污染等損壞
。不依賴于薄膜和顏色光澤等材料，可以輕松進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）
。在潮濕時(shí)可以進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）
。即使是鏡面透明或半透明，也可以毫無問題地進(jìn)行高精度的非接觸式厚度測(cè)量（非接觸式厚度測(cè)量）
。由于采用上下測(cè)量噴嘴進(jìn)行測(cè)量，因此
　 　可以準(zhǔn)確測(cè)量“厚度”，而不受被測(cè)物體“滑行”引起的抬升的影響。
　?。?ldquo;雪橇”測(cè)量也可以作為選項(xiàng)（* 1））
6. 由于操作簡單，因此可以非常輕松地進(jìn)行測(cè)量和校準(zhǔn)（* 2）。

<測(cè)量原理>

精確控制上、下測(cè)量噴嘴的背壓，噴嘴定位使噴嘴與被測(cè)物體之間的間隙恒定，并與預(yù)先用基準(zhǔn)規(guī)校準(zhǔn)的值進(jìn)行比較計(jì)算處理對(duì)被測(cè)物體進(jìn)行測(cè)量操作，可精確計(jì)算厚度。

<性能>

　　分辨率 0.1 μm
　　重復(fù)精度 10 次重復(fù) 連續(xù)測(cè)量時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)偏差 (1σ) 0.3 μm 或更小
　　測(cè)量范圍 max. 10mm (* 3)
　　供能電源 AC100V 50 / 60Hz 3A
　　　　　　　　　　　 潔凈空氣 0.4MPa 20NL/min. (*4)

<基本配置>
標(biāo)準(zhǔn)的非接觸式測(cè)厚儀（非接觸式測(cè)厚儀）是一組以下設(shè)備。
(1) 非接觸式測(cè)厚儀（非接觸式測(cè)厚儀）主體 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 套
②測(cè)量臺(tái)（安裝臺(tái)） ? ? ? ? 從附“表型”選擇 ?
? ? ? ? ? ? ?? 1 套③ 控制盒（分體型） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 套
④ 手動(dòng)操作開關(guān)盒 ? ? ? ? ? ? ?· · · · · · 1套

⑤ 顯示器（7"彩色液晶觸摸屏）或用于測(cè)量控制的個(gè)人電腦??????????1套
⑥連接電纜?????????????????? ? ? ? 1 套
⑦ 校準(zhǔn)規(guī)（指ding厚度） ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1 個(gè)
⑧ 測(cè)量控制的標(biāo)準(zhǔn)軟件 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
除上述以外，還可以根據(jù)用途從“選項(xiàng)一覽”中選擇選項(xiàng)。